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文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析.
室温工作HSGFET型O3传感器的特性检测和分析
【摘 要】
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文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特
【机 构】
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南开大学信息技术学院微电子学系
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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2003年12期
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