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摘要：SIP其实是指系统级的多芯片封装，它是将多个芯片和可能的无源元件集成在同一封装内，形成具有系统功能的模块，所有具有性能密度高、集成度高、灵活性高以及节约成本的特点。立体封装技术是SIP立体封装芯片实现的关键技术，也是目前封装业的热点和发展趋势。
关键词：SIP立体封装；工艺；技术
1. SIP立体封装工艺特点
目前，大多数的集成电路都是平面封装，换句话说，就是单个芯片集成在同个平面内的封装技术。由于面积有限，所以同一个平面上无法集成多个芯片。立体封装这种集成电路封装技术在近几年受到了广泛的使用，因为它挣脱了传统平面封装的束缚，组装效率达到了200%以上；它允许一个封装体内堆叠多个芯片，能够让存储容量翻倍增加，比如将SDRAM、SRAM以及FLASH芯片堆叠起来，能够提高8-10倍的存储容量；其次，它直接将芯片互相连接起来，大大地缩短了互连长度，信号传输速度提高不少，具有更强的抗干扰能力；此外，它把多个功能不同的芯片堆叠起来，使单个封装增加了很多的功能，例如将CPU、SRAM和FLASH芯片封装后，形成一个小型计算机系统，打开了系统芯片封装的新局面；芯片经过立体封装之后，还具有功耗低、速度快这些特点，使得电子信息产品的重量以及尺寸缩减几十倍。
立体封装分为三种类型，分别是叠层型立体封装、有源基板型立体封装以及埋置型立体封装。目前可以通过三种方式来完成这三类立体封装：一种是基板内或多层布线介质层中埋置元器件，在最上面贴装SMD、SMC完成立体封装，这种方式也叫做埋置型立体封装；
还有一种是在有源基板上进行多层布线，用SMC、SMD贴装在最上面，从而实现立体封装，
这是有源基板型立体封装；第三种是以平面封装为基础，将多个硅圆片、封装芯片、多芯片组件实行叠层相连，形成立体封装，这种结构称作叠层型立体封装。目前只有第三种方式投入实践中。
2. SIP立体封装工艺分析
SIP立体封装工艺主要包括如下几个方面：
2.1 堆叠工艺技术
堆叠工艺是将若干已封装芯片或焊接了芯片的柔性PCB板通过堆叠工装模具在垂直 方向上堆叠起来。堆叠时必须保证芯片平整并排列整齐。要求堆叠过程中的专用设备和工具具有较高的精度，才能确保产品质量。
2.2 灌封工艺技术
灌封工艺是将已堆叠好的芯片组放入灌封模具，在一定温度条件下用成型树脂进行 灌封，待树脂固化后脱模。灌封时成型树脂必须具有良好的流动性，以便灌封后内部不会产生气泡或充不满现象。该工艺是立体封装的关键工艺环节，基板、灌封模具的设计、温度的控制等各环节控制的是否合理，决定了灌封的成品率。
2.3切割工艺技术
切割工艺是将已灌封好的芯片按一定尺寸要求进行切割成型，切割后各层芯片或 PCB板的信号引出线外露于切割后的表面，以便各层芯片之间信号的互联。切割时要保证较高的切割精度和稳定的切割速度，并要保证在切割的过程中不能损坏内部的芯片，同时工装夹具的设计是保证切割成品率的关键。
2.4 表面处理工艺技术
表面處理工艺是将经过切割成型的芯片进行表面镀金处理。表面镀金后，各层芯片的引出线通过镀金层全部连接在了一起。由于经切割处理后的表面即有树脂材料又有金属材料，因此给表面镀金带来了很高的难度，经过长达1年多的探索和试验，终于找到了最佳电镀工艺方法，保证了表面处理的质量，
2.5 连线雕刻工艺技术
连线雕刻工艺是在经过表面处理的芯片表面上按照事先设计好的线路，用激光雕刻方式将芯片表面不需要的镀金层去除，雕刻后，各层芯片之间需要互联的引线通过镀金层连接了起来，而不需要连接的信号经激光雕刻后使之分离，最终实现各层之间的信号互联。在本工藝环节中，互联线路的设计是关键，线路设计是否合理直接影响芯片的各项技术指标，如运行速度、信号完整性和可靠性。
以上工艺环节是经过反复试验、摸索，不断总结经验，最终取得了突破。这些工艺环节对加工精度要求相对较高，不仅要设计大量的高精度工装夹具，对加工设备的精度要求也很高。
由于SIP立体封装芯片在一个较小的空间内集成了数量较多的各种器件，因此芯片的散热设计就变得尤为重要。要进行必要的热设计，主要包括如下几个方面：
（1）对芯片进行热力学分析
根据芯片各部分的发热量建立芯片整体的热力学模型；通过热力学分析软件对芯片整体进行热力学模拟分析，找出芯片的热传导途径并计算热通量。
（2）对芯片内部器件布局进行合理调整
根据热力学模拟分析结果，对芯片内部的器件在空间位置上进行合理调整，使芯片整体具有最佳的散热效果。
（3）采取必要的导热措施
如果芯片内部器件的布局无法满足散热要求时，可采取措施将芯片内部的热量传导至芯片表面或芯片的引脚，确保芯片整体的散热性能满足设计指标要求。
SIP立体封装芯片的散热设计技术确保了芯片的高性能和高可靠。在SIP立体封装生产过程中，需要经过多道测试和检测环节，才能保证最终的质量要求，需要配备多种测试和检测设备。
（1）立体封装工艺还有一个突出优势就是各元件间的互连。
当封装中将晶圆（裸片）堆叠放置时，通常会采用引线键合的方式进行连接。随着
芯片尺寸不断缩小，引线键合的数量和密度以及重叠式芯片已经无法适应空间的大小。并且键合引线的密度会造成传输不顺畅和寄生电子。目前又出现可以替代引线键合的技术，通孔结构穿透硅圆片，能从很大程度上缩短连接之间的距离，让芯片叠层不再受到数量的限制。这种采用直接互连的方式可以使器件运行更加高效，这种技术被称为硅片贯穿孔（TSV）技术，目前仅限于生产民用数据存储类产品，如FLASH等。 （2）标准封装堆叠（TSOP堆叠）以及柔性PCB混合堆叠这两种封装技术经常运用于三维立体封装当中，是种全新的立體封装技术，它突出之处在于将类似于TSOP这种经过封装的芯片采用堆叠或柔性PCB堆叠的方式灌封起来，运用切割成型、表面处理以及激光雕刻的方式将各个芯片连接起来；这种技术非常灵活，能适用于多种场景。而且这种技术能实现基于晶圆级立体封装的芯片的二次封装，所以该技术难以过时，而且具有较大发展空间。结合目前的情况来看，随着电子设备越来越系统化、集成化、可靠化，对电气互联技术尤其是立体封装技术提出更高要求。
3. SIP立体封装技术的发展趋势
我国内地市场目前都偏向采用SOP、DIP、QFP这些中低档产品，然而随着计算机信息技术的飞速发展，航空航天电子领域度对集成度很高的集成电路产品需求量持续攀升，消费类电子以及工业控制行业中数字电视、3G手机等产品通常对IC高端电路产品有大量需求，
尤其是大量需要高引脚数的中高档封装产品。
未来5年，中高档封装产品需求将十分旺盛。毫无疑问，这为立体集成电路设计和生产提供了巨大的市场支撑。
时代在发展，技术也要更新换代，IC器件尺寸越来越小，而且运算速度越来越快，因此封装技术发挥着更加重要的作用。封装形式的好坏直接关系到IC器件的功耗、频率以及可靠性，还会影响单位成本。现阶段运用广泛的封装技术有芯片凸点和倒装技术、高可靠低成本封装技术、CSP封装技术以及SIP封装技术等。从尺寸、芯片面积以及晶体管数来看，未来的集成电路技术的发展轨迹是：芯片规模增加，面积缩小；引线持续增加，引线间距持续缩小，并从两侧引脚到四周引脚，再到底面引脚；单位封装体积增高，封装成本不断降低，封装具备更高的性能，并且单芯片封装会逐渐发展成多芯片及SIP封装。由于立体封装技术能对普通封装的芯片实现立体封装，以柔性PCB堆叠为基础，还能在晶圆级立体封装的基础上实行二次封装，所以这项新兴的立体封装技术具有很大的发展空间。SIP立体封装集成电路行业在整个集成电路产业中有着举足轻重的位置，也是未来的发展方向。
参考文献
[1]李桂云.微电子封装的发展趋势[J].电子与封装，2013，3（2）：12-14.
[2]鮮飞.微电子封装技术的发展趋势[J].半导体行业，2015，4：56-59
[3]李振亚.SIP封装技术与发展前景[J].电子与封装，2012，9（2）：5-10.
[4]刘斌.试议3D封装技术到来时的机遇与挑战[J].电子工业专用设备，2014，186：23-42.
[5]邓丹，吴丰顺.3D封装及其最新研究进展[J].微电子器件与技术，2010，47（7）：443-450.
[6]高尚通，杨克武.新型微电子封装技术[J].电子与封装，2014，4（1）：10-15.
[7]杨建生.BGA多芯片组件及三维立体封装技术[J].电子与封装，2013，3（1）：34-38.
关键词：SIP立体封装；工艺；技术
1. SIP立体封装工艺特点
目前，大多数的集成电路都是平面封装，换句话说，就是单个芯片集成在同个平面内的封装技术。由于面积有限，所以同一个平面上无法集成多个芯片。立体封装这种集成电路封装技术在近几年受到了广泛的使用，因为它挣脱了传统平面封装的束缚，组装效率达到了200%以上；它允许一个封装体内堆叠多个芯片，能够让存储容量翻倍增加，比如将SDRAM、SRAM以及FLASH芯片堆叠起来，能够提高8-10倍的存储容量；其次，它直接将芯片互相连接起来，大大地缩短了互连长度，信号传输速度提高不少，具有更强的抗干扰能力；此外，它把多个功能不同的芯片堆叠起来，使单个封装增加了很多的功能，例如将CPU、SRAM和FLASH芯片封装后，形成一个小型计算机系统，打开了系统芯片封装的新局面；芯片经过立体封装之后，还具有功耗低、速度快这些特点，使得电子信息产品的重量以及尺寸缩减几十倍。
立体封装分为三种类型，分别是叠层型立体封装、有源基板型立体封装以及埋置型立体封装。目前可以通过三种方式来完成这三类立体封装：一种是基板内或多层布线介质层中埋置元器件，在最上面贴装SMD、SMC完成立体封装，这种方式也叫做埋置型立体封装；
还有一种是在有源基板上进行多层布线，用SMC、SMD贴装在最上面，从而实现立体封装，
这是有源基板型立体封装；第三种是以平面封装为基础，将多个硅圆片、封装芯片、多芯片组件实行叠层相连，形成立体封装，这种结构称作叠层型立体封装。目前只有第三种方式投入实践中。
2. SIP立体封装工艺分析
SIP立体封装工艺主要包括如下几个方面：
2.1 堆叠工艺技术
堆叠工艺是将若干已封装芯片或焊接了芯片的柔性PCB板通过堆叠工装模具在垂直 方向上堆叠起来。堆叠时必须保证芯片平整并排列整齐。要求堆叠过程中的专用设备和工具具有较高的精度，才能确保产品质量。
2.2 灌封工艺技术
灌封工艺是将已堆叠好的芯片组放入灌封模具，在一定温度条件下用成型树脂进行 灌封，待树脂固化后脱模。灌封时成型树脂必须具有良好的流动性，以便灌封后内部不会产生气泡或充不满现象。该工艺是立体封装的关键工艺环节，基板、灌封模具的设计、温度的控制等各环节控制的是否合理，决定了灌封的成品率。
2.3切割工艺技术
切割工艺是将已灌封好的芯片按一定尺寸要求进行切割成型，切割后各层芯片或 PCB板的信号引出线外露于切割后的表面，以便各层芯片之间信号的互联。切割时要保证较高的切割精度和稳定的切割速度，并要保证在切割的过程中不能损坏内部的芯片，同时工装夹具的设计是保证切割成品率的关键。
2.4 表面处理工艺技术
表面處理工艺是将经过切割成型的芯片进行表面镀金处理。表面镀金后，各层芯片的引出线通过镀金层全部连接在了一起。由于经切割处理后的表面即有树脂材料又有金属材料，因此给表面镀金带来了很高的难度，经过长达1年多的探索和试验，终于找到了最佳电镀工艺方法，保证了表面处理的质量，
2.5 连线雕刻工艺技术
连线雕刻工艺是在经过表面处理的芯片表面上按照事先设计好的线路，用激光雕刻方式将芯片表面不需要的镀金层去除，雕刻后，各层芯片之间需要互联的引线通过镀金层连接了起来，而不需要连接的信号经激光雕刻后使之分离，最终实现各层之间的信号互联。在本工藝环节中，互联线路的设计是关键，线路设计是否合理直接影响芯片的各项技术指标，如运行速度、信号完整性和可靠性。
以上工艺环节是经过反复试验、摸索，不断总结经验，最终取得了突破。这些工艺环节对加工精度要求相对较高，不仅要设计大量的高精度工装夹具，对加工设备的精度要求也很高。
由于SIP立体封装芯片在一个较小的空间内集成了数量较多的各种器件，因此芯片的散热设计就变得尤为重要。要进行必要的热设计，主要包括如下几个方面：
（1）对芯片进行热力学分析
根据芯片各部分的发热量建立芯片整体的热力学模型；通过热力学分析软件对芯片整体进行热力学模拟分析，找出芯片的热传导途径并计算热通量。
（2）对芯片内部器件布局进行合理调整
根据热力学模拟分析结果，对芯片内部的器件在空间位置上进行合理调整，使芯片整体具有最佳的散热效果。
（3）采取必要的导热措施
如果芯片内部器件的布局无法满足散热要求时，可采取措施将芯片内部的热量传导至芯片表面或芯片的引脚，确保芯片整体的散热性能满足设计指标要求。
SIP立体封装芯片的散热设计技术确保了芯片的高性能和高可靠。在SIP立体封装生产过程中，需要经过多道测试和检测环节，才能保证最终的质量要求，需要配备多种测试和检测设备。
（1）立体封装工艺还有一个突出优势就是各元件间的互连。
当封装中将晶圆（裸片）堆叠放置时，通常会采用引线键合的方式进行连接。随着
芯片尺寸不断缩小，引线键合的数量和密度以及重叠式芯片已经无法适应空间的大小。并且键合引线的密度会造成传输不顺畅和寄生电子。目前又出现可以替代引线键合的技术，通孔结构穿透硅圆片，能从很大程度上缩短连接之间的距离，让芯片叠层不再受到数量的限制。这种采用直接互连的方式可以使器件运行更加高效，这种技术被称为硅片贯穿孔（TSV）技术，目前仅限于生产民用数据存储类产品，如FLASH等。 （2）标准封装堆叠（TSOP堆叠）以及柔性PCB混合堆叠这两种封装技术经常运用于三维立体封装当中，是种全新的立體封装技术，它突出之处在于将类似于TSOP这种经过封装的芯片采用堆叠或柔性PCB堆叠的方式灌封起来，运用切割成型、表面处理以及激光雕刻的方式将各个芯片连接起来；这种技术非常灵活，能适用于多种场景。而且这种技术能实现基于晶圆级立体封装的芯片的二次封装，所以该技术难以过时，而且具有较大发展空间。结合目前的情况来看，随着电子设备越来越系统化、集成化、可靠化，对电气互联技术尤其是立体封装技术提出更高要求。
3. SIP立体封装技术的发展趋势
我国内地市场目前都偏向采用SOP、DIP、QFP这些中低档产品，然而随着计算机信息技术的飞速发展，航空航天电子领域度对集成度很高的集成电路产品需求量持续攀升，消费类电子以及工业控制行业中数字电视、3G手机等产品通常对IC高端电路产品有大量需求，
尤其是大量需要高引脚数的中高档封装产品。
未来5年，中高档封装产品需求将十分旺盛。毫无疑问，这为立体集成电路设计和生产提供了巨大的市场支撑。
时代在发展，技术也要更新换代，IC器件尺寸越来越小，而且运算速度越来越快，因此封装技术发挥着更加重要的作用。封装形式的好坏直接关系到IC器件的功耗、频率以及可靠性，还会影响单位成本。现阶段运用广泛的封装技术有芯片凸点和倒装技术、高可靠低成本封装技术、CSP封装技术以及SIP封装技术等。从尺寸、芯片面积以及晶体管数来看，未来的集成电路技术的发展轨迹是：芯片规模增加，面积缩小；引线持续增加，引线间距持续缩小，并从两侧引脚到四周引脚，再到底面引脚；单位封装体积增高，封装成本不断降低，封装具备更高的性能，并且单芯片封装会逐渐发展成多芯片及SIP封装。由于立体封装技术能对普通封装的芯片实现立体封装，以柔性PCB堆叠为基础，还能在晶圆级立体封装的基础上实行二次封装，所以这项新兴的立体封装技术具有很大的发展空间。SIP立体封装集成电路行业在整个集成电路产业中有着举足轻重的位置，也是未来的发展方向。
参考文献
[1]李桂云.微电子封装的发展趋势[J].电子与封装，2013，3（2）：12-14.
[2]鮮飞.微电子封装技术的发展趋势[J].半导体行业，2015，4：56-59
[3]李振亚.SIP封装技术与发展前景[J].电子与封装，2012，9（2）：5-10.
[4]刘斌.试议3D封装技术到来时的机遇与挑战[J].电子工业专用设备，2014，186：23-42.
[5]邓丹，吴丰顺.3D封装及其最新研究进展[J].微电子器件与技术，2010，47（7）：443-450.
[6]高尚通，杨克武.新型微电子封装技术[J].电子与封装，2014，4（1）：10-15.
[7]杨建生.BGA多芯片组件及三维立体封装技术[J].电子与封装，2013，3（1）：34-38.