GaAs/Ge的MOCVD生长研究

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用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和Ge的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒。10K下PL谱半峰宽为7meV。讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和GaAs-Ge界面的Ga、Ge原子互扩散问题。
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