【摘 要】
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利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括
【机 构】
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华中科技大学电子系,Advanced Recording Technology Laboratory Seagate Technology
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利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数ξ.由修正的经验幂定律和I-V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C-V曲线理论得出的结果一致.界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.
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