【摘 要】
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含氢非晶硅半绝缘性薄膜(a-Si:H)用做硅器件及集成电路的钝化保护膜,自八十年代以来已受到国内许多单位的重视和应用.本文结合近些年我们在各种硅器件上的应用结果,总结出适
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京特种半导体厂
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含氢非晶硅半绝缘性薄膜(a-Si:H)用做硅器件及集成电路的钝化保护膜,自八十年代以来已受到国内许多单位的重视和应用.本文结合近些年我们在各种硅器件上的应用结果,总结出适合于用做硅器件的非晶硅钝化保护膜生长的工艺条件.
Hydrogen-containing amorphous silicon semi-insulating film (a-Si: H) is used as a passivation protective film for silicon devices and integrated circuits, and has been valued and applied in many domestic units since the 1980s. The results of the application on a variety of silicon devices summed up the process conditions for the growth of amorphous silicon passivation protective films suitable for use as silicon devices.
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