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用N^＋离子束注入玉米H65和H144D种子，研究其M1代的细胞学效应，并以γ射线辐照作比较。结果表明．离子注入不仅能够诱发M1代根尖细胞核畸变和染色体畸变，而且还能够诱发染色体出现多种变异类型：其畸变频率随离子注入剂量的增加而增大，注入剂量与畸变频率呈正相关。此外，离子注入对根尖细胞的有丝分裂还具有明显地抑制作用，注入剂量与细胞分裂指数呈负相关。离子注入引起的细胞学效应与γ射线基本相似，但在诱发细胞变异频率及核畸变和染色体畸变类型上存在差异。两个供试品系对N^＋离子的敏感性为H14D〉H65。N^＋离子