Si和GaAsLSI在超高速方面的角逐

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即使进入了1989年开始的亚100ps时代,硅双极的优势也并没有动摇。无负载的门廷时已达到80ps左右并快速地应用到系统中。展望未来可以预测到,它将以每4年提高3倍的速率实现高速化,并能可靠地提供1万门以上规模的LSI,这一切将会牢固地支撑着人们常说的“硅王国”。向硅双极挑战的GaAs LSI的研制,以美国为主,集成度已提高到1万门,它正以低功耗为武器积极攻占计算机市场。不过,许多大厂家当前都采取了对LSI不急于求成,而以通信设备用的MSI为主,扩大自己战线的战略方针。
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