【摘 要】
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对部分耗尽CMOS／SOI工艺进行了研究，成功地开发出套部分耗尽CMOS／SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括：PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术。经过工艺设计，获
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院半导体研究所
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对部分耗尽CMOS／SOI工艺进行了研究，成功地开发出套部分耗尽CMOS／SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括：PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术。经过工艺设计，获得性能良好的抗辐照（CMOS／SOI）器件和电路（包括101级环振、5000门门海阵列和64K CMOS／SOI静态存储器）。其中，NMOS:Vt=1.2V,BVds=7.5-9V, μff=425cm^2(V·s),PMOS:Vt=-0.9V,BVds=14-16V, μeff=24
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