【摘 要】
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近年来，由于０．２～ｓｋｅＶ能量范围电子束成像技术的成功，尤其是场发射枪、新型电子光学系统以及透镜内二次电子探测器等最新成果的实用化，使得ＬＶＳＥＭｆｆｉ受人们重视。这是因为：ＬＶＳＥＭ人射电子作用范围微观化，样
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近年来，由于０．２～ｓｋｅＶ能量范围电子束成像技术的成功，尤其是场发射枪、新型电子光学系统以及透镜内二次电子探测器等最新成果的实用化，使得ＬＶＳＥＭｆｆｉ受人们重视。这是因为：ＬＶＳＥＭ人射电子作用范围微观化，样品辐照损伤减轻，这对成像敏感的聚合材料十分
In recent years, due to the success of electron beam imaging technology in 0.2 ~ skeV energy range, especially the practical application of field emission guns, new electronic optical systems and the latest achievements such as secondary electron detectors in the lens, LVSEMffi is valued by people. This is due to the fact that the range of LVSEM human-induced electrons is microscopic and radiation damage to the sample is reduced, which is very sensitive to the imaging material
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