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计算了外加太赫兹（THz）辐射下高电子迁移晶体管（HEMT）的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明，随着栅下沟道长度的增大，导纳和响应率的峰出现红移，同时高度有所下降；随着栅电压的增大，导纳和响应率的峰出现蓝移，并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。