【摘 要】
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用传统反应烧结制备的碳化硅电热元件,其使用温度一般低于 1350℃,重结晶碳化硅电热原件的最高使用温度达 1500℃,而热端具有抗氧化涂层的硅碳棒使用温度可达 1600℃。但是,
【机 构】
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陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
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用传统反应烧结制备的碳化硅电热元件,其使用温度一般低于 1350℃,重结晶碳化硅电热原件的最高使用温度达 1500℃,而热端具有抗氧化涂层的硅碳棒使用温度可达 1600℃。但是,重结晶工艺的烧结机制是蒸发凝聚,在烧结过程中没 有收缩,孔隙率较高。结果是,国产重结晶碳化硅电热原件的密度一直低于 2.5 g/cm 3 ,成品的气孔率高达 25%。重结晶硅碳 棒具有很多相互连通的气孔,在高温环境下氧气通过连通的气孔极易将其氧化。
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