Fourier–Mellin expansion coefficients of scaled pupils

来源 :Chinese Optics Letters | 被引量 : 1次 | 上传用户:qingfeng112233
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Orthogonal polynomials over the interior of a unit circle are widely used in aberration theory and in describing ocular wavefront in ophthalmic applications.In optics,Zernike polynomials(ZPs) are commonly applied for the same purpose,and scaling their
其他文献
The mechanism of near infrared (IR) focused femtosecond (fs) laser induced defects in silica glasses produced by different methods is systematically investigated through measurements of absorption, fluorescence, and electronic spin resonance (ESR) spectra
针对由一对处于纠缠态的V-型三能级原子与一对处于纠缠态的双模腔场组成的系统, 使其中一个原子在合适的时间内与一个腔场发生大失谐相互作用,即纠缠交换,从而实现原子与腔场之间的纠缠。研究了该系 统原子熵的演化特性,并运用量子熵理论讨论了失谐量(δ)大小对原子熵演化的影响。结果表明δ的大小 对系统熵的最大纠缠度和系统熵的崩塌-回复现象有影响,当δ 为0时崩塌-回复现象消失。
根据美国Kline公司的研究,激光光学、航天和电子学等的高性能应用促进了特种玻璃和高级光学材料的发展。
期刊
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根据多光束干涉原理,基于迭代算法,设计出用于异质结太阳能电池的异型分布布拉格反射(IDBR)结构。通过优化设计S1(500 nm 800 nm)、S2(500 nm 900 nm)、S3(500 nm 1000 nm)、S4(500 nm 800 nm 1000 nm)4种不同中心波长组合的异型布拉格背反射结构,发现S3具有最佳宽频带高反射效果,该异质结由两对非晶硅(32 nm)/氮化硅(61.78 nm)分布式布拉格反射(DBR)结构与三对非晶硅(64 nm)/氮化硅(123.57 nm) DBR结构组
对电磁波与相对论稀薄电离波面相互作用产生的反射角和透射角进行了研究。首先在波面参考系中根据电磁波在固定边界上的相位匹配条件,确定电磁波在静止电离波面上的反射角和透射角,并利用波矢和频率的相对论变换,导出了在实验室参考系中相应的反射角和透射角的表达式,最后对所得的结果作了进一步的讨论。
卷云反射率是天气、气候和地球能量平衡研究中关注的重要参数。卷云反射率的快速算法在遥感反演卷云特性参数中具有重要应用。依据卷云反射率随卷云光学厚度、有效尺度、太阳天顶角、观测天顶角、相对方位角等参数的变化, 利用离散坐标法(Discrete Ordinate Radiative Transfer method, DISORT)计算卷云反射率, 预先建立卷云反射率随相关参数变化的快速查找表, 以此建立了卷云反射率的快速算法。将MODIS卫星探测的卷云光学厚度、太阳天顶角、观测天顶角、相对方位角等因素作为输入参
利用共振泄露型光栅反射镜的偏振选择原理,设计并制备了35层镀膜、1000 nm周期、70 nm槽深的直线型光栅反射镜,并通过微纳加工工艺制备了相应的样品。用对比法对样品进行测量,测得光栅反射镜对TE光的反射率为87%,对TM光的反射率为98%,验证了其在中心波长1064 nm处的偏振选择作用,与理论计算结果相符。使用光栅反射镜作为后腔镜,搭建了中心波长为1064 nm的NdYAG激光器,在抽运电流为20.1 A时获得了14.4 W的基横模线偏振光输出,经过实验测量,输出光偏振度可达到95.7%。
在一维自发磁化局域电子自旋波模型的基础上,讨论了类石墨烯光晶格中的自旋粒子的元激发,与立方晶格中的自旋激发的二次方能谱不同,类石墨烯光晶格自旋激发能谱为线性能谱,元激发粒子为无质量的声子,在低温下可以得到磁化强度随T2变化的规律。
为了提高LED灯具的散热能力, 基于烟囱效应原理, 设计了一种新型的LED灯具散热结构。该结构仅采用一块圆柱状基板, 不需要散热器, 突破了传统LED灯具的构造模式。运用软件Solidworks构建三维模型, 用其插件Flow Simulation进行热仿真。当功率为10 W时, LED芯片最高温度为81.34 ℃。当功率增加到15 W时, 最高温度变为105.54 ℃, 高于芯片安全工作温度85 ℃。因此, 本文提出在基板中间加入散热器的改进方案, 使LED芯片最高温度下降了30.79 ℃。并以散热器翅