FeTe2化合物快速制备及电学输运性能

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利用真空高温烧结的方法,在803.15~923.15K的温度范围内快速合成了单相的合金化合物FeTe2。在制备温度为863.15K时,考查了不同保温时间对制备单相样品FeTe2的影响规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并在室温下对样品进行了电阻率和Seebeck系数的测试分析。结果表明:在803.15~923.15K的温度范围内,采用高温烧结反应能够快速制备出单相的多晶体化合物FeTe2;制备出样品内部均匀存在许多微米级的孔洞。经室温电学性质测试,样品在制备温度为863.15K保温时间60min时
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