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我们在单晶MgO（100）、Si（100）和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段：X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性。研究表明,在MgO（100）基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si（100）和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为：MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别