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用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。
优质GaAs／Si材料的研制
【摘 要】
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用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半
【机 构】
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中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室北京100083
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1991年6期
【基金项目】
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中科院半导体所所长基金,,国家自然科学基金,,超晶格国家重点实验室资助
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