【摘 要】
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为了提高黑磷晶体管的迁移率,并适合规模化制备,采用高K值HfO2与Al2O3材料,晶体管沟道使用15nm厚度的黑磷薄膜,制备了黑磷背栅晶体管。测试其直流特性,栅极电压范围-1010V,漏
【机 构】
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合肥工业大学,中国科技大学,南京电子器件研究所
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为了提高黑磷晶体管的迁移率,并适合规模化制备,采用高K值HfO2与Al2O3材料,晶体管沟道使用15nm厚度的黑磷薄膜,制备了黑磷背栅晶体管。测试其直流特性,栅极电压范围-1010V,漏极电压范围-30V。常温下晶体管空穴迁移率达到210cm2/（V·s）,电子迁移率为37cm2/（V·s）,开关比4.5×102。并根据黑磷的带隙特性以及双极性特点,对其漏极电流与栅压、漏压曲线进行理论分析。结果表明,高K值材料对黑磷晶体管性能有明显提升,将进一步促进黑磷晶体管的实用化。
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