高电子迁移率晶体管十年

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本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。 In this paper, the research and development of HEMT over the past decade are reviewed and reviewed from the perspective of longitudinal structure design. The future development trend is also expected.
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