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新思科技近日宣布,其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3nm环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。
新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform,包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程,以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户,可在高性能计算(HPC)、5G、移动应用和人工智能应用领域,为下一代设计实现理想PPA目标。
三星晶圆设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:“三星晶圆是推动下一阶段行业创新的核心,我们基于工艺技术的持续演进,来满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。全新的先进3nm GAA工艺得益于与新思科技的广泛合作,Fusion Design Platform让我们加速实现3nm工艺的前景,这也充分彰显了与行业领先者合作的重要性和优势。”
GAA架构为更高的晶體管密度提供了经过流片验证的途径,GAA架构改进了静电特性,从而提高了性能降低了功耗,并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合,扩大了优化解决方案的空间,从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作,加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能,从而在新思科技的FusionCompiler和IC CompilerⅡ中实现了全流程、高收敛度优化。
新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform,包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程,以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户,可在高性能计算(HPC)、5G、移动应用和人工智能应用领域,为下一代设计实现理想PPA目标。
三星晶圆设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:“三星晶圆是推动下一阶段行业创新的核心,我们基于工艺技术的持续演进,来满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。全新的先进3nm GAA工艺得益于与新思科技的广泛合作,Fusion Design Platform让我们加速实现3nm工艺的前景,这也充分彰显了与行业领先者合作的重要性和优势。”
GAA架构为更高的晶體管密度提供了经过流片验证的途径,GAA架构改进了静电特性,从而提高了性能降低了功耗,并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合,扩大了优化解决方案的空间,从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作,加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能,从而在新思科技的FusionCompiler和IC CompilerⅡ中实现了全流程、高收敛度优化。