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采用紧束缚近似的方法，研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性。所得结果近似表现出了MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件的电学规律：同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度变化的规律，发现：电流幅值随门电压的增大而增加，温度对电流幅值有重要影响。所得结论为分子器件和纳米器件的开发，提供了理论基础。