【摘 要】
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采用溶胶凝胶及后退火工艺制备云母基底的二氧化钒薄膜,采用XRD、SEM、FTIR及色差研究薄膜的性能。FTIR结果表明:在金属-半导体相变过程中,薄膜在红外光区的透过率变化为77%;
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采用溶胶凝胶及后退火工艺制备云母基底的二氧化钒薄膜,采用XRD、SEM、FTIR及色差研究薄膜的性能。FTIR结果表明:在金属-半导体相变过程中,薄膜在红外光区的透过率变化为77%;变色性能显示相变时薄膜从低温的黄褐色变为高温黄绿色,色差E*随温度的变化规律与光学开关性能类似,色差E*在相变过程中的最大值为11.31。
The vanadium dioxide films prepared from mica were sol - gel and post - annealed. The films were characterized by XRD, SEM, FTIR and color difference. The results of FTIR showed that the transmittance of the film in the infrared region was changed to 77% during the metal-semiconductor phase transition. The discoloration property showed that the film changed from low-temperature yellowish brown to high-temperature yellow-green when the phase transition was made. The color difference E * The variation law of the optical switch is similar to that of the optical switch. The maximum value of the color difference E * during the phase transition is 11.31.
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