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目的制备SiC薄膜并对其发光特性进行研究．方法用射频溅射法在玻璃衬底上制备SiC薄膜，退火处理后并利用光致发光谱（PL）对发光性能进行分析．结果SiC薄膜样品在紫外区存在360nm和370nm两个发光峰，峰的强度都随着腐蚀时间的增长而增加，在t=20min时达到最大，然后强度减小，而且峰的强度随退火温度升高而增加，在蓝光区存在470nm发光峰，峰的强度随退火温度升高而增加．结论玻璃衬底腐蚀时间为20min，SiC沉积时间为1h时样品表现出了比较好的发光特性，在紫外区和蓝光区出现了光致发光，样品的发光强度随