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化学机械抛光是在制造半导体芯片和电子器件的表面处理过程中应用最广泛的技术.本文通过改变抛光液的pH值、磨料浓度、络合剂浓度等条件研究镁合金的化学机械抛光效果.结果表明,在SiO2浓度为3%、柠檬酸浓度为1%的条件下,抛光速率可达到243.9nm/min,Ra值最低降至1.176nm.
柠檬酸体系中镁合金的化学机械抛光研究
【摘 要】
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化学机械抛光是在制造半导体芯片和电子器件的表面处理过程中应用最广泛的技术.本文通过改变抛光液的pH值、磨料浓度、络合剂浓度等条件研究镁合金的化学机械抛光效果.结果表
【机 构】
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安徽工业大学化学与化工学院,安徽 马鞍山,243032
【出 处】
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中国化工贸易
【发表日期】
：
2018年14期
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