【摘 要】
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采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,同济大学物理科学与工程学院,上海蓝宝石单晶工程技术研究中心筹
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采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善。
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