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本发明提供一种用于制作高灵敏度外延锗低温传感器的方法。该方法不仅能以比较低的成本大批量地制作传感器，而且还能根据所需测温范围调整传感器的几何结构和灵敏度。用该方法制作的传感器的应用范围包括实验室和工业设备的低温测温与控制以及红外、X射线、粒子和等离子物理学和光谱学等。
一种外延锗温度传感器的制作方法 美国专利US7232487（2007年6月19日授权）
【摘 要】
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本发明提供一种用于制作高灵敏度外延锗低温传感器的方法。该方法不仅能以比较低的成本大批量地制作传感器，而且还能根据所需测温范围调整传感器的几何结构和灵敏度。用该方法
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2007年10期
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