Hf/Ta/W单掺锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质的第一性原理研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:YGLDY1989
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运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X(Hf、Ta、W)单掺锐钛矿相TiO2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,x掺锐钛矿相TiO2,使得掺杂后体系的体积增大,并随着X掺杂浓度的增加而增大;掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO2的要小;由能带图可知,Ta、W单掺后,费米能级进入导带,说明这两种单掺体系属于N型半导体;随着不同浓度Hf、Ta、w的掺入,发现吸收光谱都发生了不同程度的红移,其中Ta、w掺杂体系的光响应范围覆盖了整个可见光区域,对比所有掺杂体系发现Ti0.9375W0.0833O2在可见光
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