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本文报导以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiO<sub>4</sub>为绝缘膜,用AgI-Ag<sub>2</sub>S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10<sup>-6</sup>~1×10<sup>-1</sup>