X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiandaoisme

【摘要】

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开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性.利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真.结果表明,图形区

【作者】

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王永坤余建祖余雷陈大鹏

【机构】

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北京航空航天大学,中国科学院微电子中心

【出处】

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微细加工技术

【发表日期】

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2004年3期

【关键词】

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X射线掩模掩模形变背面刻蚀有限元平面内形变非平面形变 X-ray mask mask distortion back-etching finit

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开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性.利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真.结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处.此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关.

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