氘氚中子源源强测量

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用伴随粒子法测量T(d,n)α反应中子源强,总误差可达±1.8%。对T(d,n)α反应的α谱随入射氘能的变化、金硅面垒型半导体探测器在辐射场中的损伤作了观测。 Using the particle-by-particle method to measure the T (d, n) α reaction, the total error can reach ± ​​1.8%. The α spectrum of the reaction of T (d, n) α changes with the incident deuterium energy, and the damage of the gold-silicon surface-type semiconductor detector in the radiation field is observed.
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