【摘 要】
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采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系,低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1100~1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果
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采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系,低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1100~1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明:1100℃时形成TiC涂层,无Ti3SiC2相;1150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1200℃时,Ti3SiC2晶粒沿×104?方向择优生长,而在1150℃和1250℃沉积时,择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构,当
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