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采用分子束外延（MBE）技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒（VO2）薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15-60 nm精确控制。对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性。特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性。结果表明：VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响。因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制。本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研