论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2／Si薄膜。通过X射线衍射（XRD）、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和傅立叶变换红外吸收光谱（FT-IR）对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3／SiO2／Si薄膜的光致发光。研究结果表明：在280nm激发光的激发下，LiNbO3／SiO2／Si薄膜在室温下发射470nm的蓝光，来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处白捕获激子的辐射复合，发现在SiO2／Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2／Si薄膜的发光机