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GaN晶体管相对于MOSFET器件有更小的导通电阻和栅电荷，在高速、高功率密度应用中独具优势。但增强型CaN器件存在自身独特的物理特性，包括最大栅压限制、阈值电压偏低和存在反向导通电压等。因此，栅驱动电路需要针对器件特性进行定制化设计。在此首先重点分析GaN器件在高速开关过程中存在的主要问题及解决方案，然后详细描述基于HHNEC0．35μmCD工艺设计完成的一款80V高压半桥GaN栅驱动电路，验证相关驱动技术的正确性。由仿真和测试结果可见，驱动信号具有良好的延迟特性和小的电压过冲，能够很好地满足相关应用需