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针对空间辐射环境下应用的双极型器件抗辐射能力与地面高剂量率辐照模拟试验所获得器件的抗辐照水平存在差异,在地面利用60Co辐射源开展了双极型运算放大器的总剂量辐照试验研究,分析了辐照剂量率、辐照偏置和室温退火3种试验组合条件下样品的总剂量响应。结果表明,在300Gy的辐照水平下,低剂量率辐照条件下器件参数的退化损伤是高剂量率条件下的2.46—816.67倍,受试样品具有明显的增强型低剂量率敏感度效应(ELDRS),辐照敏感参数为输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电压和开环增益,退化损伤结果与辐照剂量率、辐