【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、
【机 构】
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三明学院机电工程学院; 装备智能控制福建省高校重点实验室;
【基金项目】
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福建省自然科学基金项目(2017J01714);福建省教育科研基金资助项目(JAT160462);福建省三明学院科研基金资助项目(B201611)
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采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱（XPS）仪分析了退火对样品结构和光电性能的影响。结果表明真空400℃退火15 min时成功制备出性能优异的p型ZnO薄膜,其空穴载流子浓度为3.738×1020cm-3,电阻率为1.299×10-2Ω·cm,样品可见光透射率达到了85%以上。XPS分析说明No受主缺陷的含量大于（N2）o施主缺陷导致薄膜实现了p型转变。
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