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采用ＰＥＶＤ技术，以ＳｉＨ４为反应器，在不同基片温度和射频功率下制备硅薄膜，对硅薄膜进行ＸＲＤ，ＩＲ，Ｒａｍａｎ分析。研究沉积参量对膜晶化过程的影响，对沉积机理作了初步讨论。
硅氢薄膜的制备和结构
【摘 要】
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采用ＰＥＶＤ技术，以ＳｉＨ４为反应器，在不同基片温度和射频功率下制备硅薄膜，对硅薄膜进行ＸＲＤ，ＩＲ，Ｒａｍａｎ分析。研究沉积参量对膜晶化过程的影响，对沉积机理作了初步讨论。
【机 构】
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贵州师范大学物理与电子科学系
【出 处】
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贵州师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年2期
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