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用磁控反应溅射（ＲＳ）法制备出ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，它的折射率可在１．６～４．０之间变化，设计出没厚度的ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增透膜 非均匀增透膜系，并在ＺｎＳ基片上制备出ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增膜系，设计结果表明，均匀膜系实现某－波段范围内增透，非均匀膜系能实现宽波段增透；当厚度增加时，均匀增透膜系的透过率曲线变得急剧振荡，非均匀膜系的透过率曲线变得更为平滑，且向长波段扩展，实现结果表明，在８～１１．５μ