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本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构,使其长度与常用2/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能。测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5~5GI-IzRF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至Ⅲ之问的隔离度为38dB。