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用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si／SiO2纳米薄膜，测定了薄膜的I-V特性．实验结果分析表明，薄膜结构是影响其FV特性的主要因素．
薄膜结构对Si／SiO2 I-V特性的影响
【摘 要】
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用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si／SiO2纳米薄膜，测定了薄膜的I-V特性．实验结果分析表明，薄膜结构是影响其FV特性的主要因素．
【机 构】
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甘肃农业大学理学院,西北师范大学物理与电子工程学院
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2009年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.10874140）,甘肃省自然科学基金资助项目（No.0710RJZA105）,教育部科学技术研究资助项目（No.204.139）,甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助项目（No.lxy_02）.
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