【摘 要】
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以碳化硅晶须（SiC-W）为原料,采用一步法热氧化工艺制备核壳结构SiC-W@SiO2功能体。利用红外光谱仪、X线衍射仪、动态接触角测试仪、透射电镜、扫描电镜,以及力学试验机、精密阻
【机 构】
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北京航空航天大学生物与医学工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（31470938）
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以碳化硅晶须（SiC-W）为原料,采用一步法热氧化工艺制备核壳结构SiC-W@SiO2功能体。利用红外光谱仪、X线衍射仪、动态接触角测试仪、透射电镜、扫描电镜,以及力学试验机、精密阻抗分析仪、耐压击穿测试仪及铁电测试综合系统,表征核壳结构功能体及其PVDF基复合材料的结构、界面、组成、拉伸、介电、击穿与储能等特性。确定热氧化处理条件与SiO2壳层厚度的对应关系,考察SiO2壳层对复合材料的性能影响。结果表明：随SiO2壳层的引入和厚度的增加,复合材料的介电损耗和电导率逐渐降低,介电常数先增加后减小,特征击
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