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本发明包括：在半导体基板的表面，形成与基板反极性的扩散区域组成的输入二极管部、固定在输入二极管部与浮游扩散部之间的绝缘膜上的输入栅极和输出栅极、固定在其输入/输出栅极闯的绝缘膜上的离子感应膜所组成的传感部、固定在连接浮游扩散部另一侧位置的绝缘膜上的复位栅极，形成在复位栅极的浮游扩散部另一侧的、由与基板反极性扩散区域浇成的复位二极管部；此FET型传感器检测：根据对应于作用在传感部的离子浓度而相应变化的势井深度和汲出次数的，浮游扩散部所积累的电荷量，利用此FET型传感器来进行离子浓度和碱基序列的检测