论文部分内容阅读
采用热丝化学气相沉积技术（HWCVD），系统地研究了纳米晶硅层（尤其是本征缓冲层）的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si：H／c-Si异质结太阳能电池性能的影响，通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si：H／c-Si界面缺陷态的影响，运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si：H／c-Si异质结太阳能电池的界面，优化工艺参数，在P型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17．27％的n-nc—Si：H／i-nc-Si：H／p-c-Si异质结电池．