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期刊论文
ZnO薄膜Ⅴ族掺杂的研究进展
ZnO薄膜Ⅴ族掺杂的研究进展
来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:frog_t
【摘 要】
:
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜Ⅴ族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变
【作 者】
:
朱仁江
孔春阳
马勇
王万录
廖克俊
【机 构】
:
重庆师范大学光学工程实验室,重庆大学数理学院
【出 处】
:
材料导报
【发表日期】
:
2006年1期
【关键词】
:
氧化锌
P型掺杂
共掺杂
Ⅴ族元素
ZnO
p-type doping
codoping
group- Ⅴ elements
【基金项目】
:
重庆市攻关项目资助(CSTC,2004AC4034),重庆市教委项目资助(KJ050812)
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ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜Ⅴ族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
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