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通过对ISFET敏感机理的理论分析，根据表面基模型，建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型，对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线，并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系，为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。