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利用Ｓｉ分子束外延技术，及硅平面器件工艺，制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。
高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器
【摘 要】
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利用Ｓｉ分子束外延技术，及硅平面器件工艺，制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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自然科学进展：国家重点实验室通讯
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家“八六三”高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153)
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