【摘 要】
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采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在TiO2纳米管阵列(NTs)上,得到In2S3–TiO2NTs。然后通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3–TiO2NTs上,制备出RGO/In2S3–TiO2NTs复
【基金项目】
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国家自然科学基金青年基金(51608175),河南省教育厅科学技术研究重点项目(17B610004,15A150043)
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采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在TiO2纳米管阵列(NTs)上,得到In2S3–TiO2NTs。然后通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3–TiO2NTs上,制备出RGO/In2S3–TiO2NTs复合材料。通过光电流测试和2,4.二氯苯氧乙酸(2,4-D)降解试验表征了RGO/In2S3–TiO2NTs的光电性能和光催化性能。结果表明:相对于纯TiO2NTs,RGO/In2S3–TiO2NTs复合材料的光生电子.空穴对的复合率更低,对可见光的吸收更强。光催化180min后,RGO/In2
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