【摘 要】
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本文主要介绍采用S枪磁控反应溅射技术制备SnO<sub>2</sub>气敏薄膜材料.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X衍射仪、俄歇电子能谱仪及X光电子能谱仪进行了SnO<sub>2</su
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本文主要介绍采用S枪磁控反应溅射技术制备SnO<sub>2</sub>气敏薄膜材料.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X衍射仪、俄歇电子能谱仪及X光电子能谱仪进行了SnO<sub>2</sub>薄膜表面形貌、晶格结构分析,并与不同工艺条件下的组分分析比较,为选择SnO<sub>2</sub>薄膜制备工艺提供了重要的实验依据.
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