【摘 要】
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为了研究掺杂结构为p^＋-p-n-n^＋的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
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为了研究掺杂结构为p^＋-p-n-n^＋的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明：在截断过程中,n-n^＋结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p^＋-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度
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