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主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响．通过研究两种理想的脉冲光源——高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比，发现对于高斯脉冲光源，只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源；而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源．否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差．若样品受表面状况影响较小时（如体寿命较低或表面复合速度低时），则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽．