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用自洽的半经验紧束缚方法,定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Si-GaP(110)异质结,得到了主要结果是:GaP和Si表面有相似的电子特性:由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰;在Si/GaP(110)界面有不同于其他异质结的、由Si-GaP界面态引起的界面势;两个半元限晶体构成的SiGaP(110)异质结的能带偏移为0.43eV。