【摘 要】
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采用磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积总厚度不同的Bi/Te多层薄膜,并在氩气保护下对薄膜进行不同时间的退火处理,退火温度为150℃.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、HALL 8800测量系统和Seebeck系数测试装置研究了退火时间对Bi/Te多层薄膜物相组成、微观形貌和热电性能的影响.结果表明:退火使Bi、Te原子在相邻单质层界面上了发生强烈的扩散反应,生成以Bi2
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津300131 天津工业大学中空纤维膜材料与膜过程省部共建国家重点
【出 处】
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无机非金属材料高层论坛暨第7届无机非金属材料专题——先进电子材料研讨会
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采用磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积总厚度不同的Bi/Te多层薄膜,并在氩气保护下对薄膜进行不同时间的退火处理,退火温度为150℃.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、HALL 8800测量系统和Seebeck系数测试装置研究了退火时间对Bi/Te多层薄膜物相组成、微观形貌和热电性能的影响.结果表明:退火使Bi、Te原子在相邻单质层界面上了发生强烈的扩散反应,生成以Bi2Te3为主相的Bi-Te化合物,且化合物生长具有良好的c轴择优取向.随着退火时间的延长,由于量子尺寸效应影响,薄膜的载流子浓度、迁移率、电导率和Seebeck系数均出现了震荡现象.长时间退火使薄膜的界面空洞增多,表面粗糙度变大,热电性能降低,故退火时间不宜过长,2-6 h为适宜的退火时间.
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